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[发明专利]马路隔离绿化槽-CN201510844484.2在审
发明人：张朝峰 -专利权人：苏州汇诚智造工业设计有限公司
申请日： 2013-12-22 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： E01F15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种马路隔离绿化槽，绿化槽包括绿化槽体，绿化槽体内设有种植槽，种植槽内设有进气管，绿化槽两侧涂有夜光漆；多个绿化槽体的前后两端对齐设置即可形成隔离槽，还在绿化槽体上设置护栏网，护栏网的下边框与预设在绿化槽体的固定件连接
马路隔离绿化

[发明专利]浅沟隔离槽-CN200910201949.7有效
发明人：钱文生;丁宇 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟隔离槽，由纵向相接的上下两部分组成，其下部分宽度小于上部分宽度，形成步骤为：做小于上部分宽度隔离槽的光刻、刻蚀，刻蚀的深度小于所述浅沟隔离槽的深度；做上部分宽度隔离槽的光刻、刻蚀，刻蚀后最终达到所述浅沟隔离槽的深度本发明能有效地解决金属硅化物生长沉淀的过程中沿着浅沟隔离槽边缘向下延伸从而造成器件漏电和隔离变差的问题。
隔离

[发明专利]浅沟隔离槽-CN201010027221.X有效
发明人：钱文生;丁宇 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅沟隔离槽，由纵向相接的上下两部分组成，下部分宽度大于上部分宽度，形成步骤为：做上部分宽度隔离槽的光刻、刻蚀，刻蚀深度小于所述浅沟隔离槽的深度，去光刻胶；淀积一层薄氧化层；利用刻蚀工艺将槽底部的氧化层去除、留下侧壁氧化层；做干法的各向同性刻蚀，刻蚀后最终达到所述浅沟隔离槽的深度；去除侧壁氧化层，生长线性氧化层，接着，做高密度等离子体氧化层淀积。本发明能有效地解决金属硅化物生长沉淀的过程中沿着浅沟隔离槽边缘向下延伸从而造成器件漏电和隔离变差的问题。
隔离

[实用新型]液体隔离剂槽-CN201721613590.0有效
发明人：钱吉军;张方华;张晓华;诸逸利;张学 -专利权人：宁波世峻汽配科技有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： B29C47/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种液体隔离剂槽，包括液体槽、制冷机、补液电机和出液电机；所述补液电机和出液电机均布置在所述液体槽下方；所述制冷机位于液体槽一侧，所述液体槽内设有一紫铜管道，所述紫铜管道与制冷机连接；所述出液电机出液端连接有出液管路，进液端连通液体槽底部，所述出液管路顶部设置有出水用的花洒。本实用新型的液体隔离剂槽能够将液体隔离剂搅拌均匀，有效防止隔离剂内的有效成分漂浮或沉淀，保证了胶管涂抹隔离剂的涂抹效果。
液体槽液体隔离剂电机制冷机本实用新型出液管路紫铜管道隔离剂补液涂抹顶部设置出液端进液端出水花洒胶管连通沉淀漂浮保证

[发明专利]浅槽隔离方法-CN200480010167.0有效
发明人： M·T·柯里;A·J·洛赫特费尔德 -专利权人：琥珀波系统公司
申请日： 2004-03-05 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括晶体管和沟槽结构的结构，其中，沟槽结构只引起晶体管的槽道区域的一部分应变。
隔离方法

[发明专利]浅槽隔离结构制作方法及浅槽隔离结构-CN202210171603.2在审
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种浅槽隔离结构制作方法及浅槽隔离结构。所述浅槽隔离结构制作方法包括：在硅衬底上生长氧化物隔离层，在所述氧化物隔离层上生长腐蚀阻挡层；对腐蚀阻挡层和氧化物隔离层进行刻蚀处理，形成至少两个相互独立的凹槽；在所述凹槽内进行硅填充，将硅填充凹槽作为硅衬底的外延结构；去除腐蚀阻挡层，以在氧化物隔离层中除外延结构之外的区域构成浅槽隔离区。本发明的浅槽隔离结构制作方法，与现有的浅槽隔离工艺相反，由于起到隔离作用的隔离浅槽不是直接刻蚀形成，不会存在尖锐角落，避免角落寄生漏电流的问题，且工艺简单、均匀性好，提高了浅槽隔离结构的隔离特性。
隔离结构制作方法

[发明专利]浅槽隔离的方法-CN200910047948.1有效
发明人：周建军;张京晶;王军;石锗元 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种浅槽隔离的方法，包括以下步骤：(1)提供一硅衬底；(2)依次在所述硅衬底上形成氧化物层、氮化物层、光阻层；(3)刻蚀光阻形成图案；(4)刻蚀氮化物层；(5)刻蚀氧化物层；(6)刻蚀硅形成浅槽该浅槽隔离方法，是将剥离步骤置于刻蚀后，可以更加彻底清除光阻，防止光阻残留在产品上，并增加气体吹洗步骤，可以更加彻底地清除刻蚀过程中的剩余的光阻及光阻的副产物，避免了刻蚀后残留的光阻及其产生的副产物沉积在刻蚀图案的边侧或表面
隔离方法

[发明专利]浅槽隔离的方法-CN02108408.4无效
发明人：黄文信;张国华 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提供一种浅槽隔离方法。该方法包括下列步骤：(1)于一衬底表面形成一经构图的掩蔽层，该掩蔽层包含有一缓冲氧化层以及一氮化硅层形成于该缓冲氧化层上；(2)蚀刻未被该掩蔽层覆盖的该衬底，以形成一槽区域；(3)形成一高温氧化膜，覆盖于该槽区域表面以及该掩蔽层表面；(4)沉积一介电层，该介电层填满该槽区域，并覆盖该高温氧化膜；(5)平坦化该介电层，直至暴露出该氮化硅层；以及(6)去除该氮化硅层。
隔离方法

[实用新型]电缆槽防火隔离板-CN201420292741.7有效
发明人：徐资翔;潘泉;赵欣;马静波;陈劲松 -专利权人：达诺尔电气(集团)有限公司
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H02G9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电缆槽防火隔离板，包括固定板，支撑板，插板和支撑脚，所述插板连接所述支撑板，所述插板固定在所述固定板和所述支撑板之间，所述插板和所述支撑板连接位置形成多个通孔，所述固定板和支撑板底部连接所述支撑脚，所述电缆槽防火隔离板通过支撑脚直立在电缆槽内。
电缆防火隔离

[实用新型]胶片沾染隔离剂槽-CN201020257324.0有效
发明人：张宗尧 -专利权人：中车双喜轮胎有限公司
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： B29C37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种胶片沾染隔离剂槽，解决了现有技术存在的在隔离剂槽中的隔离剂溶液常常发生沉淀的现象，造成胶片在隔离剂槽中不能均匀沾染隔离剂技术的问题。包括隔离剂槽(1)、总进风管路(4)和矩形的吹风管路(2)，所述的矩形的吹风管路(2)设置在隔离剂槽(1)的底部，在矩形的吹风管路(2)上设置有出风口(3)，总进风管路(4)通过第一可控阀(5)与矩形的吹风管路本实用新型实现了隔离剂的混合均匀和胶片的沾染均匀，提高了汽车轮胎的生产质量。
胶片沾染隔离

[发明专利]一种浅槽隔离结构的制备方法及浅槽隔离结构-CN201811340906.2在审
发明人：赵东光 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种浅槽隔离结构的制备方法及浅槽隔离结构，包括：步骤S1，提供定义有有源区和浅槽隔离区的一衬底，并于衬底的浅槽隔离区内制备形成凹槽；步骤S2，采用一隔离材料填充每个凹槽形成浅槽隔离预制备结构，并制备一牺牲层覆盖衬底的有源区，且浅槽隔离预制备结构的上表面高于牺牲层的上表面；步骤S3，制备一保护结构覆盖浅槽隔离预制备结构暴露的侧壁；步骤S4，去除牺牲层；步骤S5，对衬底和保护结构暴露的表面进行热氧化工艺，形成覆盖衬底表面的栅氧化层以及保护结构与浅槽隔离预制备结构结合形成的浅槽隔离结构；保证了最终形成的浅槽隔离结构的完整，避免了可能相应产生的漏电情况。
浅槽隔离结构浅槽隔离制备衬底预制保护结构牺牲层上表面源区覆盖半导体技术领域浅槽隔离区热氧化工艺凹槽形成衬底表面隔离材料结构结合栅氧化层漏电暴露侧壁去除填充保证

[发明专利]浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构-CN202110925394.1在审
发明人：郑孟晟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构，该浅槽隔离结构的制备方法包括：提供基底，于基底上形成多个第一沟槽，且第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势；于基底的顶部和多个第一沟槽的内侧通过沉积工艺形成连续的第一隔离层，且第一隔离层位于第一沟槽内的部分形成第二沟槽；第二沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下保持不变；于第一隔离层的表面通过ISSG工艺形成连续的第二隔离层，且第二隔离层位于第二沟槽内的部分将第二沟槽完全填满。这样，由于第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势，可以直接对第一沟槽进行隔离层的填充，不仅简化了浅槽隔离结构的制程，而且提高了该隔离结构的绝缘性能。
隔离结构制备方法半导体

[发明专利]一种隔离电缆槽-CN201610773872.0在审
发明人：史发和 -专利权人：扬州长城铁路器材有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种隔离电缆槽，包括槽体和盖体；槽体与盖体之间紧配合；所述槽体包括第一侧板、第二侧板、底板，底板两端分别设置第一侧板、第二侧板，第一侧板、第二侧板向上竖直设置且等高；底板上设有隔板，隔板向上竖直设置本发明隔离电缆槽，结构简单，设计巧妙，生产成本低，隔离效果好，拆装简便快捷，有利于施工现场的快速布置。
一种隔离电缆

[发明专利]深槽和结混合隔离-CN202110010939.6在审
发明人：张志宏;林欣;祝荣华 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及深槽和结混合隔离。实施例涉及一种设备，包括横向扩散的金属氧化物半导体(LDMOS)，所述LDMOS包括可连接到漂移区的漏极和可连接到基体区的源极。第一深槽隔离(DTI)在所述源极附近且安置成横向地环绕所述LDMOS。屏蔽结在所述第一DTI附近且在所述源极的相对侧上，且电连接到所述阳极。
混合隔离

[发明专利]槽隔离阀的清洗装置-CN202111454027.4在审
发明人：小川恭平;舟川幸弘;森秀一;村上真二 -专利权人：杉野机械股份有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B08B9/093 文献下载
摘要：本发明提供一种槽隔离阀的清洗装置，其无需拆解整个装置，就能够以保持密闭状态的方式清洗槽隔离阀。所述槽隔离阀的清洗装置包括：清洗腔(2)，其配置在槽开口(C)与槽分隔部(D)之间；密闭部(3)，其与清洗腔(2)的侧面连结，将清洗腔(2)内密闭；喷嘴单元(5)，其从清洗腔(2)内对槽分隔部(D)的槽隔离阀
隔离清洗装置

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